在光通信技术快速发展的当下，一款具备突破性性能的光源芯片的问世，必然会引发行业内外的广泛关注与讨论。
中国移动研究院自主研制新光源芯片
快科技8月5日消息说，中国移动研究院弄出来了个新东西，是首款新结构硅基外腔混合集成光源芯片。这芯片听着就挺厉害，不是那种随便搞搞的小东西，是自主研制的，这可得好好说道说道。
很多人可能不太懂芯片是咋回事，但“自主研制”这四个字分量可不轻。就是说从无到有，都是咱们自己人一点一点搞出来的，没有咋依赖别人，这在现在这个技术竞争激烈的时候，挺提气的。
芯片本征线宽等指标实现突破
这芯片有个很关键的指标，叫34.2Hz本征线宽，这东西是衡量信号频率稳定性的核心指标。听起来数字不大，但意义不小，看报道说是相位噪声比现有产品降低三个量级。
原来的本征线宽是几十kHz，现在降到了几十Hz，这可不是小打小闹的改进，是突破性的进展。这一下子就把产品的性能往上提了一大截，对后面的应用影响肯定不小。
为下一代光传输激光器提供新方案
因为有了这样的突破，所以就能为T比特级下一代光传输激光器演进提供全新解决方案。T比特级是什么概念？就是每秒可传送万亿比特数据，想想都觉得传输速度能嗖嗖的。
以前可能面临着传输速度不够的问题，这下有了新方案，说不定就能解决很多卡脖子的地方，让咱们的光传输技术更上一层楼，走在前面去。
研究成果被顶级期刊录用
这么牛逼的研究成果，自然也得到了业界的认可，被光学领域顶级学术期刊Photonics Research录用了。能被顶级期刊看上，说明这成果在学术上是有东西的，不是瞎吹捧的。
一般这种级别的期刊，对文章的要求苛刻得很，能录用就证明咱们搞的这个研究，在光学领域那可是排得上号的，有很高的学术价值。
项目团队历经三年攻关成绩不易
搞出这么个东西不容易，项目团队历经三年攻关。三年，可不是三天两天，日复一日地研究，得多少人付出多少心血。这可不是坐在办公室喝喝茶就能搞定的活儿。
他们全程主导从结构设计、参数仿真到版图布局、流片封装、原型验证全流程研发，这每一个环节都藏着无数的困难。先后完成两次晶圆迭代流片以及七次原型封装验证，编写芯片核心结构代码数千行，每一次尝试，每一次失败，都为最后的成功铺路。
芯片面积缩减且兼容标准封装
在实现调谐范围、线宽等关键性能指标突破的同时，他们还挺会过日子，通过优化结构设计和版图布局，将芯片面积缩减90%，达到1.5mm×4mm。
面积小了，用的材料成本啥的可能就降下来了，而且还兼容标准的紧凑型nano封装，具备产品化应用前景。这就意味着不是只能放在实验室里瞅瞅，将来能实际应用到产品中去。
这芯片是中国移动首款全自研光源芯片，从设计、制备到封装均在国内完成，实现了全链条自主可控。你觉得这样的全链条自主可控，对咱们国家光通信产业未来的发展会带来哪些深远的影响？欢迎在评论区留言讨论，也别忘了点赞分享本文。
